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參數資料
型號: IS41C44002AS(L)
英文描述: 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
中文描述: 4米× 4(16兆)動態與江戶頁面模式內存
文件頁數: 18/20頁
文件大小: 297K
代理商: IS41C44002AS(L)
18
Integrated Circuit Solution Inc.
DR026-0A 09/04/2001
IC41C44002A/IC41C44002AS(L)
IC41LV44002A/IC41LV44002AS(L)
HIDDEN REFRESH CYCLE
(1)
(
WE
= HIGH;
OE
= LOW)
CBR REFRESH CYCLE
(Addresses;
OE
= DON'T CARE,
WE
=HIGH)
Notes:
1. A Hidden Refresh may also be performed after a Write Cycle. In this case,
WE
= LOW and
OE
= HIGH.
2. t
OFF
is referenced from rising edge of
RAS
or
CAS
, whichever occurs last.
t
RAS
t
RAS
t
RP
t
RP
I/O
CAS
RAS
Open
t
CP
t
RPC
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
CSR
t
CHR
t
RAS
t
RAS
t
RP
CAS
RAS
t
CRP
t
RCD
t
RSH
t
CHR
t
ASC
t
RAD
t
RAH
ADDRESS
Row
Column
t
ASR
t
RAL
t
CAH
I/O
Open
Open
Valid Data
t
AA
t
CAC
t
RAC
t
CLZ
t
OFF
(2)
OE
t
OE
t
ORD
t
OD
相關PDF資料
PDF描述
IS41LV44002A 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV44002AS(L) 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C44002 4Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode
IS41C44004 4Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode
IS41LV44002 4Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode
相關代理商/技術參數
參數描述
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