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參數資料
| 型號： | IS41LV16256-60T |
| 英文描述： | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| 中文描述： | 256K × 16（4兆位）的動態與江戶頁面模式內存 |
| 文件頁數： | 16/20頁 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | IS41LV16256-60T |
IS41C16256
IS41LV16256
16
Integrated Circuit Solution Inc.
DR001-0E 01/25/2002
EDO-PAGE-MODE READ-EARLY-WRITE CYCLE
(Psuedo READ-MODIFY WRITE)
t
RASP
t
RP
ADDRESS
UCAS/LCAS
RAS
Row
Row
t
CRP
t
RCD
t
PC
t
CSH
t
CP
t
CAH
t
CAS
t
RAL
t
RSH
t
CP
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CP
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ACH
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ASR
Column (A)
Column (N)
t
CAH
t
CAH
Column (B)
t
ASC
t
ASC
t
CAS
t
CAS
OE
I/O
WE
t
ASC
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t
RCH
t
DH
Open
Open
Valid Data (A)
t
OE
t
WCS
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COH
D
IN
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CPA
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RAC
t
AA
t
PC
Valid Data (B)
t
WHZ
t
DS
t
RCS
t
AA
Don’t Care
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS41C16256-25K | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41C16256-25KI | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41C16256-25T | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41C16256-25TI | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41C16256-35K | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IS41LV16256-60TI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41LV16256B | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41LV16256B-35K | 功能描述:動態隨機存取存儲器 4M 256Kx16 35ns RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS41LV16256B-35KL | 功能描述:動態隨機存取存儲器 4M 256Kx16 35ns RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS41LV16256B-35KL-TR | 功能描述:動態隨機存取存儲器 4M 256Kx16 35ns RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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