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參數資料
| 型號： | IS42S32400A-6TL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO86 |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-86 |
| 文件頁數： | 41/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 556K |
| 代理商： | IS42S32400A-6TL |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁當前第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
ADVANCED INFORMATION
Rev. 00A
06/01/02
41
ISSI
IS42S81600A, IS42S16800A, IS42S32400A
IS42LS81600A, IS42LS16800A, IS42LS32400A
READ - FULL-PAGE BURST
DON'T CARE
UNDEFINED
CLK
CKE
COMMAND
DQM/
DQML, DQMH
A0-A9, A11
A10
BA0, BA1
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BURST TERM
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1
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1
D
OUT
m
D
OUT
m+
1
completion
Full-page burst not self-terminating.
Use BURST TERMINATE command.
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
Tn+1
Tn+2
Tn+3
Tn+4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32400A-7T | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400A-7TI | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400A-7TL | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS61C256AH-8J | x8 SRAM |
| IS61C256AH-8N | x8 SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IS42S32400A-6T-TR | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II T/R |
| IS42S32400A-7B | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400A-7BI | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400A-7BL | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS42S32400A-7T | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
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