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參數資料
| 型號： | IS42S32400A-7TI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO86 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP2-86 |
| 文件頁數： | 4/66頁 |
| 文件大小： | 556K |
| 代理商： | IS42S32400A-7TI |
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ISSI
4
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
ADVANCED INFORMATION
Rev. 00A
06/01/02
IS42S81600A, IS42S16800A, IS42S32400A
IS42LS81600A, IS42LS16800A, IS42LS32400A
PIN CONFIGURATIONS
54-Ball FBGA for x16
PIN DESCRIPTIONS
A0-A11
Row Address Input
A0-A8, A10
Column Address Input
BA0, BA1
Bank Select Address
DQ0 to DQ15
Data I/O
CLK
System Clock Input
CKE
Clock Enable
CS
Chip Select
RAS
Row Address Strobe Command
CAS
Column Address Strobe Command
WE
Write Enable
LDQM
x16 Lower Bye, Input/Output Mask
UDQM
x16 Upper Bye, Input/Output Mask
V
DD
Power
Vss
Ground
V
DDQ
Power Supply for I/O Pin
Vss
Q
Ground for I/O Pin
NC
No Connection
A
B
C
D
E
F
G
H
J
Vss
I/O14
I/O12
I/O10
I/O8
UDQM
NC/A12
A8
Vss
I/O15
I/O13
I/O11
I/O9
NC
CLK
A11
A7
A5
VssQ
VDDQ
VssQ
VDDQ
Vss
CKE
A9
A6
A4
VDDQ
VssQ
VDDQ
VssQ
VDD
CAS
BA0
A0
A3
1 2
3
4
5
6
7
8
9
I/O0
I/O2
I/O4
I/O6
LDQM
RAS
BA1
A1
A2
VDD
I/O1
I/O3
I/O5
I/O7
WE
CS
A10
Vss
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32400A-7TL | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS61C256AH-8J | x8 SRAM |
| IS61C256AH-8N | x8 SRAM |
| IS61C256AH-8T | x8 SRAM |
| IS61M256-10J | x8 SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IS42S32400A-7TL | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS42S32400A-7TLI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS42S32400B | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-6B | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90FBGA |
| IS42S32400B-6BL | 功能描述:動態隨機存取存儲器 128M 4Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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