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參數資料
| 型號： | IS61LV25616-8T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| 中文描述： | 256K X 16 STANDARD SRAM, 8 ns, PDSO44 |
| 封裝： | TSOP2-44 |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 461K |
| 代理商： | IS61LV25616-8T |
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A0-A17
CE
OE
WE
UB
LB
256K x 16
MEMORY ARRAY
DECODER
COLUMN I/O
CONTROL
CIRCUIT
GND
VCC
I/O
DATA
CIRCUIT
I/O0-I/O7
Lower Byte
I/O8-I/O15
Upper Byte
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LV25616-8TI | 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV25616-10B | 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV25616-10BI | 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV25616-10K | 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV25616-10KI | 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IS61LV25616-8TI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV25616AL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV25616AL-10B | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| IS61LV25616AL-10BI | 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4Mb 256Kx16 10ns Async 靜態隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LV25616AL-10BI-TR | 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4Mb 256Kx16 10ns Async 靜態隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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