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參數(shù)資料
型號: IS61SP6464-117PQ
英文描述: SYNC SRAM|64KX64|CMOS|QFP|128PIN|PLASTIC
中文描述: 同步靜態(tài)存儲器| 64KX64 |的CMOS | QFP封裝| 128PIN |塑料
文件頁數(shù): 4/16頁
文件大?。?/td> 108K
代理商: IS61SP6464-117PQ
IS61SF25616
IS61SF25618
ISSI
4
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. A
04/17/01
PIN DESCRIPTIONS
A0, A1
Synchronous Address Inputs. These
pins must tied to the two LSBs of the
address bus.
A2-A17
Synchronous Address Inputs
CLK
Synchronous Clock
ADSP
Synchronous Processor Address
Status
ADSC
Synchronous Controller Address
Status
ADV
Synchronous Burst Address Advance
BW1
-
BW2
Synchronous Byte Write Enable
BWE
Synchronous Byte Write Enable
GW
Synchronous Global Write Enable
CE
, CE2,
CE2
Synchronous Chip Enable
OE
Output Enable
DQ1-DQ16
Synchronous Data Input/Output
MODE
Burst Sequence Mode Selection
V
CC
+3.3V Power Supply
GND
Ground
V
CCQ
Isolated Output Buffer Supply: 3.3V
ZZ
Snooze Enable
DQP1-DQP2
Parity Data I/O DQP1 is parity for
DQ1-8; DQP2 is parity for DQ9-16
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
VCCQ
NC
NC
DQ9
NC
VCCQ
NC
DQ12
VCCQ
NC
DQ14
VCCQ
DQ16
NC
NC
NC
VCCQ
A6
CE2
A7
NC
DQ10
NC
DQ11
NC
VCC
DQ13
NC
DQ15
NC
DQP2
A5
A11
NC
A4
A3
A2
GND
GND
GND
BW2
GND
NC
GND
GND
GND
GND
GND
MODE
A10
NC
ADSP
ADSC
VCC
NC
CE
OE
ADV
GW
VCC
CLK
NC
BWE
A1
A0
VCC
NC
NC
A8
A9
A12
GND
GND
GND
GND
GND
NC
GND
BW1
GND
GND
GND
GND
A14
NC
A16
CE2
A15
DQP1
NC
DQ7
NC
DQ5
VCC
NC
DQ3
NC
DQ2
NC
A13
A17
NC
VCCQ
NC
NC
NC
DQ8
VCCQ
DQ6
NC
VCCQ
DQ4
NC
VCCQ
NC
DQ1
NC
ZZ
VCCQ
1
2
3
4
5
6
7
A17
NC
NC
VCCQ
GND
NC
DQP1
DQ8
DQ7
GND
VCCQ
DQ6
DQ5
GND
NC
VCC
ZZ
DQ4
DQ3
VCCQ
GND
DQ2
DQ1
NC
NC
GND
VCCQ
NC
NC
NC
A
A
C
C
N
N
B
B
C
V
G
C
G
B
O
A
A
A
A
A
NC
NC
NC
VCCQ
GND
NC
NC
DQ9
DQ10
GND
VCCQ
DQ11
DQ12
GND
VCC
NC
GND
DQ13
DQ14
VCCQ
GND
DQ15
DQ16
DQP2
NC
GND
VCCQ
NC
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45
M
A
A
A
A
A
A
N
N
G
V
N
N
A
A
A
A
A
A
A
46 47 48 49 50
256K x 18
119-pin PBGA (Top View)
100-Pin TQFP
相關PDF資料
PDF描述
IS61SP6464-117PQI x64 Fast Synchronous SRAM
IS61SP6464-117TQ x64 Fast Synchronous SRAM
IS61SP6464-117TQI x64 Fast Synchronous SRAM
IS61SP6464-133PQ x64 Fast Synchronous SRAM
IS61SP6464-133TQ x64 Fast Synchronous SRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IS61SP6464-6TQ 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS61VF102418A-6.5B3 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61VF102418A-6.5B3I 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61VF102418A-6.5B3I-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61VF102418A-6.5B3-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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