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參數(shù)資料
型號: IS62C1024AL-35QI
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
中文描述: 128K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, PDSO32
封裝: 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-32
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大小: 423K
代理商: IS62C1024AL-35QI
4
Integrated Circuit Solution Inc.
SR016-0B
IS62C1024
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
-35
-45
-55
-70
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
t
RC
Read Cycle Time
35
45
55
70
ns
t
AA
Address Access Time
35
45
55
70
ns
t
OHA
Output Hold Time
3
3
3
3
ns
t
ACE
1
CE1
Access Time
35
45
55
70
ns
t
ACE
2
CE2 Access Time
35
45
55
70
ns
t
DOE
OE
Access Time
10
20
25
35
ns
t
LZOE
(2)
OE
to Low-Z Output
0
0
0
0
ns
t
HZOE
(2)
OE
to High-Z Output
0
10
0
15
0
20
0
25
ns
t
LZCE
1
(2)
CE1
to Low-Z Output
3
5
7
10
ns
t
LZCE
2
(2)
CE2 to Low-Z Output
3
5
7
10
ns
t
HZCE
(2)
CE1
or CE2 to High-Z Output
0
10
0
15
0
20
0
25
ns
Notes:
1. Test conditions assume signal transition times of 5 ns or less, timing reference levels of 1.5V, input pulse levels of 0 to 3.0V
and output loading specified in Figure 1a.
2. Tested with the load in Figure 1b. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.
AC TEST CONDITIONS
Parameter
Unit
Input Pulse Level
0V to 3.0V
Input Rise and Fall Times
5 ns
Input and Output Timing
1.5V
and Reference Level
Output Load
See Figures 1a and 1b
AC TEST LOADS
Figure 1a.
Figure 1b.
480
5 pF
Including
jig and
scope
255
OUTPUT
5V
480
100 pF
Including
jig and
scope
255
OUTPUT
5V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS62C1024AL-35QLI 128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62C1024AL-35T 128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62C1024AL-35TI 128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62C1024AL-35TLI 128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62C1024-45QI 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IS62C1024AL-35T 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
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