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參數(shù)資料
型號: IS62C1024AL-35QI
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
中文描述: 128K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, PDSO32
封裝: 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-32
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大小: 423K
代理商: IS62C1024AL-35QI
Integrated Circuit Solution Inc.
7
SR016-0B
IS62C1024
WRITE CYCLE NO. 2 (
CE1
, CE2 Controlled)
(1,2)
DATA UNDEFINED
LOW
t
WC
VALID ADDRESS
t
PWE1
t
AW
t
HA
HIGH-Z
t
HD
t
SA
t
HZWE
ADDRESS
CE
WE
D
OUT
D
IN
OE
DATA
IN
VALID
t
LZWE
t
SD
Notes:
1. The internal write time is defined by the overlap of
CE1
LOW, CE2 HIGH and
WE
LOW. All signals must be in valid states to
initiate a Write, but any one can go inactive to terminate the Write. The Data Input Setup and Hold timing are referenced to the
rising or falling edge of the signal that terminates the Write.
2. I/O will assume the High-Z state if
OE
= V
IH
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS62C1024AL-35QLI 128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62C1024AL-35T 128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62C1024AL-35TI 128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62C1024AL-35TLI 128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62C1024-45QI 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS62C1024AL-35QI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb 128K x 8 35ns 5v Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 5v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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IS62C1024AL-35QLI 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:SRAM 1MB 128K X 8 5V 35NS 61C1024
IS62C1024AL-35QLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb 128K x 8 35ns 5v Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 5v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS62C1024AL-35T 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
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