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參數(shù)資料
| 型號： | IS62C1024AL-35T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 128K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 20 X 8 MM, TSOP1-32 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 423K |
| 代理商： | IS62C1024AL-35T |
Integrated Circuit Solution Inc.
7
SR016-0B
IS62C1024
WRITE CYCLE NO. 2 (
CE1
, CE2 Controlled)
(1,2)
DATA UNDEFINED
LOW
t
WC
VALID ADDRESS
t
PWE1
t
AW
t
HA
HIGH-Z
t
HD
t
SA
t
HZWE
ADDRESS
CE
WE
D
OUT
D
IN
OE
DATA
IN
VALID
t
LZWE
t
SD
Notes:
1. The internal write time is defined by the overlap of
CE1
LOW, CE2 HIGH and
WE
LOW. All signals must be in valid states to
initiate a Write, but any one can go inactive to terminate the Write. The Data Input Setup and Hold timing are referenced to the
rising or falling edge of the signal that terminates the Write.
2. I/O will assume the High-Z state if
OE
= V
IH
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS62C1024AL-35TI | 128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| IS62C1024 | 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IS62C1024AL-35TI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mb 128K x 8 35ns 5v Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 5v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS62C1024AL-35TLI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mb 128K x 8 35ns 5v Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 5v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS62C1024AL-35TLI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mb 128K x 8 35ns 5v Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 5v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS62C1024AL-70QI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
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