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參數資料
型號: IXBD4413PI
英文描述: Interface IC
中文描述: 接口IC
文件頁數: 13/16頁
文件大小: 659K
代理商: IXBD4413PI
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PDF描述
IXFR21N100Q TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247VAR
IXFR24N100 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-247VAR
IXFR21N100Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導通電阻0.50Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFR50N50 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 43A I(D) | TO-247VAR
IXFR55N50 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-247VAR
相關代理商/技術參數
參數描述
IXBF10N300C 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IGBT 3000V 29A ISOPLUSI4
IXBF12N300 功能描述:IGBT 3000V 22A 100W ISOPLUSI4 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:BIMOSFET™ 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXBF14N250 功能描述:功率驅動器IC 28 Amps 2500V 4.0 V Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IXBF15N300C 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IGBT 3000V 37A ISOPLUSI4
IXBF20N300 功能描述:IGBT 3000V 27A 110W ISOPLUSI4 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:BIMOSFET™ 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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