- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361009 > IXBD4413PI Interface IC PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IXBD4413PI |
| 英文描述： | Interface IC |
| 中文描述： | 接口IC |
| 文件頁數： | 13/16頁 |
| 文件大小： | 659K |
| 代理商： | IXBD4413PI |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR21N100Q | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247VAR |
| IXFR24N100 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-247VAR |
| IXFR21N100Q | N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導通電阻0.50Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET) |
| IXFR50N50 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 43A I(D) | TO-247VAR |
| IXFR55N50 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-247VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXBF10N300C | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IGBT 3000V 29A ISOPLUSI4 |
| IXBF12N300 | 功能描述:IGBT 3000V 22A 100W ISOPLUSI4 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:BIMOSFET™ 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IXBF14N250 | 功能描述:功率驅動器IC 28 Amps 2500V 4.0 V Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| IXBF15N300C | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IGBT 3000V 37A ISOPLUSI4 |
| IXBF20N300 | 功能描述:IGBT 3000V 27A 110W ISOPLUSI4 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:BIMOSFET™ 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。