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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXBD4413PI |
| 英文描述： | Interface IC |
| 中文描述： | 接口IC |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/16頁(yè) |
| 文件大小： | 659K |
| 代理商： | IXBD4413PI |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR21N100Q | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247VAR |
| IXFR24N100 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-247VAR |
| IXFR21N100Q | N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻0.50Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET) |
| IXFR50N50 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 43A I(D) | TO-247VAR |
| IXFR55N50 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-247VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXBF10N300C | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IGBT 3000V 29A ISOPLUSI4 |
| IXBF12N300 | 功能描述:IGBT 3000V 22A 100W ISOPLUSI4 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:BIMOSFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IXBF14N250 | 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 28 Amps 2500V 4.0 V Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| IXBF15N300C | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IGBT 3000V 37A ISOPLUSI4 |
| IXBF20N300 | 功能描述:IGBT 3000V 27A 110W ISOPLUSI4 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:BIMOSFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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