- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361009 > IXFH35N30S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-247VAR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXFH35N30S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-247VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 300V五（巴西）直| 35A條（丁）|對(duì)247VAR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 110K |
| 代理商： | IXFH35N30S |
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.02
0.04
0.06
0.08
0.20
0.40
0.01
0.10
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
100
1000
10000
V
SD
- Volts
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
D
0
20
40
60
80
100
T
J
=125
O
C
T
J
=25
O
C
Gate Charge - nC
0
50
100
150
200
250
V
G
0
2
4
6
8
10
12
14
F = 1MHz
Crss
Coss
Ciss
V
GS
= 0V
Vds=300V
I
D
=16A
I
G
=10mA
Figure 7. Gate Charge
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 9. Forward Voltage Drop of the
Intrinsic Diode
Figure 10. Transient Thermal Resistance
IXFH 30N50Q
IXFT 30N50Q
IXFH 32N50Q
IXFT 32N50Q
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH40N30S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-264AA |
| IXFH30N50Q | N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻0.16Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET) |
| IXFT52N30 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-268 |
| IXFH52N30 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-247AD |
| IXFT58N20Q | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 58A I(D) | TO-268 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXFH36N50P | 功能描述:MOSFET 500V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFH36N55Q | 功能描述:MOSFET 36 Amps 550V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFH36N55Q2 | 功能描述:MOSFET 36 Amps 550V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFH36N60P | 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFH400N075T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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