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參數資料
| 型號： | IXFN100N10S1 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | HiPerFET PowerMOSFET with Schottky Diodes(最大漏源擊穿電壓100V,導通電阻15mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET（帶肖特基二極管）) |
| 中文描述： | 100 A, 100 V, 0.0125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | MINIBLOC-4 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | IXFN100N10S1 |
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HiPerFET
TM
Power MOSFETs
with Schottky Diodes
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IXFN 100N10S1
IXFN 100N10S2
IXFN 100N10S3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN100N10S2 | HiPerFET Power MOSFETs with Schottky Diodes |
| IXFN100N10S3 | HiPerFET Power MOSFETs with Schottky Diodes |
| IXFN100N20 | HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFN106N20 | HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFN100N10 | HIPERFET Power MOSFTETs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXFN100N10S2 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:HiPerFET™ 標準包裝:10 系列:* |
| IXFN100N10S3 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:HiPerFET™ 標準包裝:10 系列:* |
| IXFN100N20 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 200V 0.023 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFN100N25 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFN100N50P | 功能描述:MOSFET 500V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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