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參數資料
| 型號： | IXFR50N50 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 43A I(D) | TO-247VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五（巴西）直|第43A條（丁）|對247VAR |
| 文件頁數： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | IXFR50N50 |
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= I
T
Note 1
45
S
C
iss
C
oss
C
rss
9400
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
1280
pF
460
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
45
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
R
G
= 1
(External),
60
ns
120
ns
45
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
330
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
55
nC
155
nC
R
thJC
0.30
K/W
R
thCK
0.15
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
55N50
50N50
55
50
A
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
55N50
50N50
220
200
A
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V
1.5
V
t
rr
250
ns
Q
RM
1.0
μ
C
I
RM
10
A
I
F
= 25A,-di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
Note: 1. Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
2. I
T
test current:
50N50
55N50
I
T
= 25A
I
T
= 27.5A
IXFR 50N50
IXFR 55N50
ISOPLUS 247 OUTLINE
See IXFK55N50 data sheet for
characteristic curves.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR55N50 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-247VAR |
| IXFR58N20Q | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-247VAR |
| IXFR80N20Q | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 71A I(D) | TO-247VAR |
| IXFR80N20Q | N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導通電阻28mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET) |
| IXFT12N100Q | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-268 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXFR52N30Q | 功能描述:MOSFET 52 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFR55N50 | 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.08 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFR55N50F | 功能描述:MOSFET F -Class HiPerRF Capable MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFR58N20 | 功能描述:MOSFET HiPerFET Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFR58N20Q | 功能描述:MOSFET 50 Amps 200V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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