- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361010 > IXGH12N100U1S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IXGH12N100U1S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 1KV交五（巴西）國際消費電子展| 24A條一（c）|至247SMD |
| 文件頁數： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | IXGH12N100U1S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGH12N60C | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247AD |
| IXGH12N90C | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247AD |
| IXGH20N90A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247 |
| IXGH25N80A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
| IXGH25N90A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXGH12N120A2D1 | 功能描述:MOSFET 24 Amps 1200V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXGH12N120A3 | 功能描述:IGBT 1200V 22A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:GenX3™ 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IXGH12N60B | 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 600V 2.1 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH12N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 600V 2.1 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH12N60C | 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。