- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361011 > IXGH20N100U1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 36A I(C) | TO-247 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IXGH20N100U1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 36A I(C) | TO-247 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 1KV交五（巴西）國際消費電子展|第36A一（c）|至247 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | IXGH20N100U1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGH20N30S | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 300V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247SMD |
| IXGH20N50U1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247 |
| IXGH20N60AU1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247AD |
| IXGH20N60BS | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247SMD |
| IXGH20N60BU1S | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXGH20N120 | 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH20N120A3 | 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH20N120B | 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 1200V 3.40 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH20N120BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 1200V 3.40 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH20N120IH | 功能描述:MOSFET 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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