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參數資料
| 型號： | IXGH20N50A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 500V五（巴西）國際消費電子展| 40A條一（c）|至247 |
| 文件頁數： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 681K |
| 代理商： | IXGH20N50A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGH20N80A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247 |
| IXGM20N80A | SPACER |
| IXGM20N90A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE |
| IXGM25N80A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-204AE |
| IXGM25N90A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-204AE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXGH20N50U1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247 |
| IXGH20N60 | 功能描述:IGBT 晶體管 LOW V IGBT 600V 40A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH20N60A | 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH20N60AU1 | 功能描述:MOSFET 40 Amps 600V 3.0 V Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXGH20N60B | 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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