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參數資料
| 型號： | IXGH20N90 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 900V五（巴西）國際消費電子展| 40A條一（c）|至247 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 393K |
| 代理商： | IXGH20N90 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGM20N90 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE |
| IXGM25N80 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-204AE |
| IXGM25N90 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-204AE |
| IXGH30N30S | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 250V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD |
| IXGH30N60AU1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXGH20N90A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247 |
| IXGH22N140IH | 功能描述:MOSFET 22 Amps 1400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXGH22N170 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT |
| IXGH22N50B | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT |
| IXGH22N50BS | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT |
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