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參數資料
型號: IXGH28N90B
廠商: IXYS CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: HIPERFAST IGBT
中文描述: 51 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝: TO-247AD, 3 PIN
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 91K
代理商: IXGH28N90B
2000 IXYS All rights reserved
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IXGH 28N90B
IXGT 28N90B
Preliminary data sheet
相關PDF資料
PDF描述
IXGT28N90B HIPERFAST IGBT
IXGH28N30 HiPerFAST IGBT
IXGH30B60BD1 HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXGH30N30 HiPerFAST IGBT
IXGH30N60 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
相關代理商/技術參數
參數描述
IXGH2N250 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IGBT 2500V 5.5A 32W TO247
IXGH30B60BD1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXGH30N120B3 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:GenX3 1200V IGBTs
IXGH30N120B3D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH30N120BD1 功能描述:MOSFET 50 Amps 1200V 3.5 V Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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