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參數資料
型號: IXGH40N30BD1S
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 300V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 300V五(巴西)國際消費電子展|第60A條(c)的|至247SMD
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代理商: IXGH40N30BD1S
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PDF描述
IXGH40N50 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247
IXGH40N50A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247
IXGM40N50A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | TO-3
IXGH50N50B TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247AD
IXGH50N50BS TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247SMD
相關代理商/技術參數
參數描述
IXGH40N30BS 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT
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IXGH40N60 功能描述:IGBT 75A 600V TO-247AD RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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