- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄383199 > IXGR40N60CD1 (IXYS CORP) HiPerFAST IGBT ISOPLUS247 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IXGR40N60CD1 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | HiPerFAST IGBT ISOPLUS247 |
| 中文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封裝： | ISOPLUS247, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 262K |
| 代理商： | IXGR40N60CD1 |
2001 IXYS All rights reserved
98803 (01/01)
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
=
t
fi(typ)
= 600 V
=
75 A
2.5
=
75
HiPerFAST
TM
IGBT
ISOPLUS247
TM
(Electrically Isolated Backside)
ISOPLUS 247
* Patent pending
!"
!"
#$
#
%
&$$$'
&$$$'
( ) *
$+$$,)!)
*-+,
$.
/.0$$
$%
*
1!2 3
%&'&'
45!) ,
+
(
)(
(
!
6/
6/7
6/
$
$
6/7
$
$
0.8 V
CES
6/
6/7
6/
6/7
I
T
,
$
*&
71 *0
8&67!2*8
9*4!4 *!0:
;*978<
8<=&
& " !:
!
))'
>0 5 +><,
<5!4 & &
5
!
7" 0 "
7 !4
+
Easy assembly
9*45 :
:)5!4* )4*4
)-!: !
IXGR 40N60C
IXGR 40N60CD1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGR50N60B | HiPerFAST IGBT ISOPLUS247 |
| IXGR50N60BD1 | HiPerFAST IGBT ISOPLUS247 |
| IXGR60N60C2 | Lightspeed 2TM Series (Electrically Isolated Back Surface) |
| IXGR60N60C2D1 | Lightspeed 2TM Series (Electrically Isolated Back Surface) |
| IXGR60N60U1 | LowV-CE(sat) IGBT with Diode ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXGR45N120 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 1200 V 3.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGR48N60B3 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications |
| IXGR48N60B3D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 1.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGR48N60B3D4A | 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGR48N60C3D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。