- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361011 > IXGT24N60C TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-268 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IXGT24N60C |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-268 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 48A條一（c）|至268 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 142K |
| 代理商： | IXGT24N60C |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGH25N80 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
| IXGH25N90 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
| IXGM20N100 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE |
| IXGM20N50 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE |
| IXGM20N50A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXGT24N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGT25N160 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 1600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGT25N250 | 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGT28N120B | 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 1200V 3.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGT28N120BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 1200V 3.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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