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參數資料
型號: IXSH17N100A
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 17A I(C) | TO-247AD
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 1KV交五(巴西)國際消費電子展| 17A條一(c)|采用TO - 247AD
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代理商: IXSH17N100A
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PDF描述
IXSM17N100 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 17A I(C) | TO-204
IXSM17N100A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 17A I(C) | TO-204
IXSH20N60 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247AD
IXSH20N60A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247AD
IXSH24N60AU1S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-263VAR
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參數描述
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IXSH20N60A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247AD
IXSH20N60AU1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT with Diode, High Speed IGBT with Diode
IXSH20N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH20N60U1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT with Diode, High Speed IGBT with Diode
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