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參數資料
| 型號： | IXSH24N60AU1S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-263VAR |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 48A條一（c）|至263VAR |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 200K |
| 代理商： | IXSH24N60AU1S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSH24N60U1S | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-263VAR |
| IXSM20N60 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE |
| IXSM20N60A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE |
| IXSH35N100 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247AD |
| IXSH35N135A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.35KV V(BR)CES | 70A I(C) | TO-247AD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXSH24N60B | 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSH24N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSH24N60U1 | 功能描述:IGBT 晶體管 S-SERIE MED SPD IGBT FREEWHEELING 600V48A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSH24N60U1S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-263VAR |
| IXSH25N100 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT |
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