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參數(shù)資料
型號(hào): IXTH10N95
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 950V五(巴西)直| 10A條(丁)|對(duì)218VAR
文件頁(yè)數(shù): 8/8頁(yè)
文件大小: 719K
代理商: IXTH10N95
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTH11N100 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-218VAR
IXTH11N90 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-218VAR
IXTH11N95 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-218VAR
IXTH12N80 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218VAR
IXTH12N95 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTH10P45 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR
IXTH10P50 功能描述:MOSFET -10 Amps -500V 0.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH10P50P 功能描述:MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH10P60 功能描述:MOSFET -10 Amps -600V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH110N10L2 功能描述:MOSFET L2 Linear Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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