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參數資料
型號: IXTH15N65
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道|?650V五(巴西)直| 15A條(丁)|對218VAR
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文件大小: 719K
代理商: IXTH15N65
相關PDF資料
PDF描述
IXTH17N55 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-218VAR
IXTH17N60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-218VAR
IXTH17N65 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-218VAR
IXTH18N65 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-218VAR
IXTH19N45 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-218VAR
相關代理商/技術參數
參數描述
IXTH15N70 制造商:INTERFET 制造商全稱:INTERFET 功能描述:N-Channel Enhancement Mode
IXTH15P15 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR
IXTH15P20 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR
IXTH160N075T 功能描述:MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH160N10T 功能描述:MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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