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參數資料
型號: IXTH17P25
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-218VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| P通道| 250V五(巴西)直| 17A條(?。﹟對218VAR
文件頁數: 2/2頁
文件大?。?/td> 220K
代理商: IXTH17P25
相關PDF資料
PDF描述
IXTH19P15 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-218VAR
IXTH19P20 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-218VAR
IXTH10N80 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR
IXTH10N95 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR
IXTH11N100 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-218VAR
相關代理商/技術參數
參數描述
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IXTH180N10T 功能描述:MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH182N055T 功能描述:MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH18N65 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-218VAR
IXTH19N45 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-218VAR
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