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參數資料
| 型號： | IXTH19P20 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-218VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 200伏五（巴西）直| 19A條（丁）|對218VAR |
| 文件頁數： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 220K |
| 代理商： | IXTH19P20 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH10N80 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH10N95 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH11N100 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH11N90 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH11N95 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-218VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTH1N100 | 功能描述:MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH1N250 | 功能描述:MOSFET 1 Amps 2500V 40 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH200N075T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH200N085T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH200N10T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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