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參數(shù)資料
型號: IXTH21N55
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-218VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 550V五(巴西)直| 21A條(?。﹟對218VAR
文件頁數(shù): 2/8頁
文件大?。?/td> 719K
代理商: IXTH21N55
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTH21N60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-218VAR
IXTH24N45 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-218VAR
IXTH26N45 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-218VAR
IXTH26N50 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-218VAR
IXTL25N10 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTH21N60 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-218VAR
IXTH220N055T 功能描述:MOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH220N075T 功能描述:MOSFET 220 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH22N50P 功能描述:MOSFET 22 Amps 500V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH22P15 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-218VAR
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