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參數(shù)資料
型號(hào): IXTH24N50MA
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-247(5)
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五(巴西)直| 24A條(丁)|的TO - 247(5)
文件頁(yè)數(shù): 8/8頁(yè)
文件大小: 723K
代理商: IXTH24N50MA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTH24N50MB TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-247(5)
IXTH27N35MA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247(5)
IXTH27N35MB TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247(5)
IXTH27N40MA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247(5)
IXTH27N40MB TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247(5)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTH24N50MB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-247(5)
IXTH24N50Q 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH24P20 功能描述:MOSFET -24 Amps -200V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH250N075T 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH260N055T2 功能描述:MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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