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參數資料
型號: IXTH27N35MB
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247(5)
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 350V五(巴西)直| 27A條(丁)|的TO - 247(5)
文件頁數: 8/8頁
文件大小: 723K
代理商: IXTH27N35MB
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PDF描述
IXTH27N40MA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247(5)
IXTH27N40MB TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247(5)
IXTP30N10MB TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5)
IXTZ67N10MA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 67A I(D) | Z-PAC
IXTZ67N10MB TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 67A I(D) | Z-PAC
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參數描述
IXTH27N40MA 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247(5)
IXTH27N40MB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247(5)
IXTH280N055T 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH28N50Q 功能描述:MOSFET 28 Amps 500 V 0.20 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH2N170D2 功能描述:MOSFET N-channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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