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參數資料
| 型號： | IXTZ67N10MB |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 67A I(D) | Z-PAC |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 67A條（丁）|的Z -委員會 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 723K |
| 代理商： | IXTZ67N10MB |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXLZ11N90 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 11A I(D) | Z-PAC |
| IXLZ12N90 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 12A I(D) | Z-PAC |
| IXLZ15N65 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 15A I(D) | Z-PAC |
| IXLZ17N60 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 17A I(D) | Z-PAC |
| IXLZ18N65 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 18A I(D) | Z-PAC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXUC100N055 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 55V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXUC120N10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N ISOPLUS220 |
| IXUC160N075 | 功能描述:MOSFET 160 Amps 75V 5.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXUC200N055 | 功能描述:MOSFET 200 Amps 55V 4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXUC60N10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N ISOPLUS220 |
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