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參數(shù)資料
型號(hào): IXTZ67N10MB
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 67A I(D) | Z-PAC
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五(巴西)直| 67A條(丁)|的Z -委員會(huì)
文件頁(yè)數(shù): 4/8頁(yè)
文件大小: 723K
代理商: IXTZ67N10MB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXLZ11N90 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 11A I(D) | Z-PAC
IXLZ12N90 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 12A I(D) | Z-PAC
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IXLZ17N60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 17A I(D) | Z-PAC
IXLZ18N65 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 18A I(D) | Z-PAC
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參數(shù)描述
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IXUC160N075 功能描述:MOSFET 160 Amps 75V 5.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXUC200N055 功能描述:MOSFET 200 Amps 55V 4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXUC60N10 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N ISOPLUS220
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