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參數資料
型號: IXTH5N100A
廠商: IXYS CORP
元件分類: JFETs
英文描述: Standard Power MOSFET
中文描述: 5 A, 1000 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝: TO-247AD, 3 PIN
文件頁數: 2/8頁
文件大小: 719K
代理商: IXTH5N100A
相關PDF資料
PDF描述
IXTH20P25 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-218VAR
IXTH22P15 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-218VAR
IXTH22P20 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-218VAR
IXTK33N45 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-264AA
IXTK90N15 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 90A I(D) | TO-264AA
相關代理商/技術參數
參數描述
IXTH5N95 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247
IXTH5N95A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247
IXTH60N10 功能描述:MOSFET 60 Amps 100 V 0.033 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH60N15 功能描述:MOSFET 60 Amps 150V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH60N20L2 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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