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參數(shù)資料
| 型號： | IXTP11P20 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 200伏五（巴西）直| 11A條（丁）|至220 |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大小： | 1098K |
| 代理商： | IXTP11P20 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP2N100A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
| IXTP2N95A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
| IXTP2P45 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220 |
| IXTP2P50 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220 |
| IXTP5P20 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTP120N04T2 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP120N075T2 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP120P065T | 功能描述:MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP12N50P | 功能描述:MOSFET 12 Amps 500V 0.5 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP12N50PM | 功能描述:MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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