- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361018 > IXTP2N100A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXTP2N100A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 1KV交五（巴西）直|甲（?。﹟ TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù)： | 2/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 1098K |
| 代理商： | IXTP2N100A |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP2N95A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
| IXTP2P45 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220 |
| IXTP2P50 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220 |
| IXTP5P20 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220 |
| IXTP5P25 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTP2N100P | 功能描述:MOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP2N60P | 功能描述:MOSFET 2.0 Amps 600 V 4.7 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP2N80 | 功能描述:MOSFET 2 Amps 800V 6.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP2N80P | 功能描述:MOSFET 2 Amps 800V 6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP2N95 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
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