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參數資料
型號: IXTP2P50
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220
中文描述: 晶體管| MOSFET的| P通道| 500V五(巴西)直|甲(丁)|至220
文件頁數: 6/12頁
文件大小: 1098K
代理商: IXTP2P50
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PDF描述
IXTP5P20 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220
IXTP5P25 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220
IXTP5P45 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220
IXTP5P50 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220
IXTP6N60A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220AB
相關代理商/技術參數
參數描述
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IXTP2R4N50P 功能描述:MOSFET 2.4 Amps 500 V 3.5 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP300N04T2 功能描述:MOSFET 300 Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP30N08MA 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5)
IXTP30N08MB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5)
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