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參數資料
| 型號： | IXTP2P50 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 500V五（巴西）直|甲（丁）|至220 |
| 文件頁數： | 8/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 1098K |
| 代理商： | IXTP2P50 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP5P20 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220 |
| IXTP5P25 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220 |
| IXTP5P45 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220 |
| IXTP5P50 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220 |
| IXTP6N60A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTP2R4N120P | 功能描述:MOSFET 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP2R4N50P | 功能描述:MOSFET 2.4 Amps 500 V 3.5 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP300N04T2 | 功能描述:MOSFET 300 Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP30N08MA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP30N08MB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
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