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參數資料
型號: IXTP3N120
廠商: IXYS CORP
元件分類: JFETs
英文描述: High Voltage Power MOSFETs
中文描述: 3 A, 1200 V, 4.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: PLASTIC, TO-220, 3 PIN
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 223K
代理商: IXTP3N120
相關PDF資料
PDF描述
IXTP3N110 High Voltage Power MOSFETs
IXTM40N25 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-3
IXTM40N30 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-3
IXTM42N15 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-3
IXTM4N45 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-204AC
相關代理商/技術參數
參數描述
IXTP3N50D2 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP3N50P 功能描述:MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP3N60P 功能描述:MOSFET 3 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP3N80 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB
IXTP3N80A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB
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