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JAN1N3312

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

JAN1N3312B
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
DO-203AB
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

JAN1N3312B
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
MICROSEMI
原廠封裝
最新批號
-
一級代理，原裝正品現(xiàn)貨！！

JAN1N3312B
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：曹先生
電話：13487865852
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
35338
Microchip Technology
DO-203AB, DO-5, Stud
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

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JAN1N3312 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

JAN1N3312 技術(shù)參數(shù)

JAN1N3174 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 300A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/211 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:300A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.55V @ 940A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10mA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-205AB，DO-9，接線柱供應(yīng)商器件封裝:DO-205AB，DO-9 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3045DUR-1 功能描述:Zener Diode 110V 1W ±1% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:110V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:450 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 83.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3045D-1 功能描述:Zener Diode 110V 1W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:110V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:450 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 83.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3045CUR-1 功能描述:Zener Diode 110V 1W ±2% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:110V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:450 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 83.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3045C-1 功能描述:Zener Diode 110V 1W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:110V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:450 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 83.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3339B JAN1N3595-1 JAN1N3595A-1 JAN1N3595AUR-1 JAN1N3595AUS JAN1N3595UR-1 JAN1N3600 JAN1N3611 JAN1N3612 JAN1N3613 JAN1N3614 JAN1N3644 JAN1N3645 JAN1N3646 JAN1N3647 JAN1N3671A JAN1N3671AR JAN1N3671R