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JANS1N6311US

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  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SQ-MELF

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優勢產品

  • JANS1N6311US
    JANS1N6311US

    JANS1N6311US

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:曹先生/高先生/周小姐

    電話:134878658521852080514813760272017

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 41938

  • Microchip Technology

  • SQ-MELF, B

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
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JANS1N6311US PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Diode Zener Single 3V 5% 500mW 2-Pin B-MELF
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Waffle Pack
JANS1N6311US 技術參數
  • JANS1N6311DUS 功能描述:Zener Diode 3V 500mW ±1% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):29 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應商器件封裝:B,SQ-MELF 標準包裝:1 JANS1N6311 功能描述:Zener Diode 3V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):29 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANS1N6310US 功能描述:Zener Diode 2.7V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:60μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應商器件封裝:B,SQ-MELF 標準包裝:1 JANS1N6309 功能描述:Zener Diode 2.4V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANS1N5969US 功能描述:Zener Diode 6.2V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 4.74V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應商器件封裝:E,軸向 標準包裝:1 JANS1N6313 JANS1N6313/TR JANS1N6313C JANS1N6313CUS JANS1N6313D JANS1N6313DUS JANS1N6313US JANS1N6314C JANS1N6314CUS JANS1N6314D JANS1N6314DUS JANS1N6314US JANS1N6315 JANS1N6315C JANS1N6315CUS JANS1N6315D JANS1N6315DUS JANS1N6315US
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