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JANTX2N500

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  • JANTX2N5002
    JANTX2N5002

    JANTX2N5002

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-210AA

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優勢產品

  • JANTX2N5002
    JANTX2N5002

    JANTX2N5002

  • 深圳市百潤電子有限公司
    深圳市百潤電子有限公司

    聯系人:

    電話:17876146278

    地址:沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A

  • 5013

  • ST

  • SOT-23

  • 23+

  • -
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  • 1
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JANTX2N500 技術參數
  • JANTX2N4957UB 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 JANTX2N4957 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-72-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-72 標準包裝:1 JANTX2N4931 功能描述:TRANS PNP 250V 0.2A TO-39 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/397 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.2V @ 3mA,30mA 電流 - 集電極截止(最大值):250nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 30mA,10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39(TO-205AD) 標準包裝:1 JANTX2N4859 功能描述:JFET N-Channel 30V 175mA @ 15V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):175mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):10V @ 500pA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):18pF @ 10V(VGS) 電阻 - RDS(開):25 歐姆 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:1 JANTX2N4857UB 功能描述:JFET N-Channel 40V 100mA @ 15V 360mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):100mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):6V @ 500pA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):18pF @ 10V(VGS) 電阻 - RDS(開):40 歐姆 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 JANTX2N5152L JANTX2N5153 JANTX2N5153L JANTX2N5154 JANTX2N5154L JANTX2N5157 JANTX2N5237 JANTX2N5237S JANTX2N5238 JANTX2N5238S JANTX2N5302 JANTX2N5303 JANTX2N5339 JANTX2N5415 JANTX2N5415S JANTX2N5416 JANTX2N5416S JANTX2N5416U4
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