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JANTX2N485

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JANTX2N485 技術參數

JANTX2N4449 功能描述:TRANS NPN 20V TO46 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/317 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:450mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:400nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AB，TO-46-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-46（TO-206AB）標準包裝:1 JANTX2N4416AUB 功能描述:JFET N-Channel 35V 15mA @ 15V 300mW Surface Mount 4-SMD 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:35V 漏源極電壓（Vdss）:35V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:15mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:6V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD，無引線供應商器件封裝:4-SMD 標準包裝:1 JANTX2N4405 功能描述:TRANS NPN TO-39 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 JANTX2N4399 功能描述:TRANS PNP 60V 30A TO-3 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/433 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:750mV @ 1A，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:15 @ 15A，2V 功率 - 最大值:5W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-55°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AA，TO-3 供應商器件封裝:TO-3（TO-204AA）標準包裝:1 JANTX2N4261UB 功能描述:TRANS PNP 15V 0.03A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/511 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 JANTX2N5002 JANTX2N5003 JANTX2N5004 JANTX2N5038 JANTX2N5039 JANTX2N5109 JANTX2N5151 JANTX2N5151L JANTX2N5152 JANTX2N5152L JANTX2N5153 JANTX2N5153L JANTX2N5154 JANTX2N5154L JANTX2N5157 JANTX2N5237 JANTX2N5237S JANTX2N5238