- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄374254 > K4C561638C-TCD4000 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 47uF; Voltage: 200V; Case Size: 12.5x20 mm; Packaging: Bulk PDF資料下載
參數資料
| 型號： | K4C561638C-TCD4000 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 47uF; Voltage: 200V; Case Size: 12.5x20 mm; Packaging: Bulk |
| 中文描述： | 256Mb的網絡內存 |
| 文件頁數： | 1/42頁 |
| 文件大小： | 880K |
| 代理商： | K4C561638C-TCD4000 |
當前第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁
K4C5608/1638C 256Mb Network-DRAM
REV. 0.7 Aug. 2003
- 1 -
256Mb Network-DRAM Specification
Version 0.7
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4C561638C-TCDA | 256Mb Network-DRAM |
| K4C89323AF-GCF5 | 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
| K4C89323AF-GCF6 | 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
| K4C89323AF-GCFB | 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
| K4C89323AF-TCF5 | 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K4C561638C-TCDA | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb Network-DRAM |
| K4C89083AF-ACF5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89083AF-ACF6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89083AF-ACFB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89083AF-AIF5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。