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參數(shù)資料
型號: K4R761869A-GCN1
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
中文描述: 576Mbit的RDRAM(一模)100萬x 18位x 32秒銀行直接RDRAMTM
文件頁數(shù): 1/20頁
文件大小: 313K
代理商: K4R761869A-GCN1
Direct RDRAM
Page -1
K4R761869A
Version 1.41 Jan. 2004
January 2004
Version 1.41
Direct RDRAM
TM
1M x 18bit x 32s banks
576Mbit RDRAM
(A-die)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4R761869A-GCT9 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-F 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-FbCcN1 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-FCM8 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-FCT9 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
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參數(shù)描述
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K4R761869A-GCT9000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:512 DIRECT RDRAM X18 WBGA - Trays
K4R881869 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
K4R881869D 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256/288Mbit RDRAM(D-die)
K4R881869D-FCM8 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:16M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM, PBGA92
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