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參數資料
| 型號： | K4R881869 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| 中文描述： | 288Mbit RDRAM的為512k × 18位× 2 * 16屬銀行直接RDRAMTM |
| 文件頁數： | 1/64頁 |
| 文件大小： | 4084K |
| 代理商： | K4R881869 |
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Direct RDRAM
K4R881869M
Rev. 0.9 Jan. 2000
Preliminary
288Mbit RDRAM
512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks
Direct RDRAM
TM
Revision 0.9
January 2000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4R881869M | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R881869M-NbCcG6 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R881869M-NCK7 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R881869M-NCK8 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4S280432A | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K4R881869D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256/288Mbit RDRAM(D-die) |
| K4R881869D-FCM8 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:16M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM, PBGA92 |
| K4R881869EFCT9 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4R881869E-GCM8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:DRAM CHIP DIRECT RDRAM 288MBIT 2.5V 92PIN WBGA - Bulk |
| K4R881869E-GCM8T00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:288MRDRAMDIRECT RDRAMX18WBGA - Tape and Reel |
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