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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4S643232C-TL80 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Dual Low-Noise Precision Rail-To-Rail Operational Amplifier 8-PDIP |
| 中文描述： | 200萬× 32內(nèi)存為512k × 32 × 4銀行同步DRAM LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 1/43頁 |
| 文件大小： | 1155K |
| 代理商： | K4S643232C-TL80 |
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K4S643232C
CMOS SDRAM
REV. 1.1 Nov. '99
- 1 -
2M x 32 SDRAM
Revision 1.1
November 1999
512K x 32bit x 4 Banks
Synchronous DRAM
LVTTL
Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| K4S643232C-TC60 | Low Noise Precision Advanced LinCMOS(TM) Single Operational Amplifier 20-LCCC -55 to 125 |
| K4S643232C-TC70 | Low Noise Precision Advanced LinCMOS(TM) Single Operational Amplifier 8-CDIP -55 to 125 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S643232E | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S643232E-TC50 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S643232E-TC55 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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