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參數資料
| 型號： | KMM350S823BT1 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 72 SDRAM DIMM(8M x 72同步動態RAM模塊) |
| 中文描述： | 8米× 72 SDRAM的內存（8米× 72同步動態內存模塊） |
| 文件頁數： | 1/14頁 |
| 文件大小： | 180K |
| 代理商： | KMM350S823BT1 |
REV. 4 Aug. 1998
Preliminary
KMM350S823BT1
SDRAM MODULE
Revision History
Revision 3 (July 1998)
- "REGE" description is changed.
Revision 4 ( Aug. 1998)
- Package Dimension changed
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM364C224BJ | 2M x 64 DRAM DIMM(2M x 64 動態 RAM模塊) |
| KMM366F224BJ1 | 2M x 64 DRAM DIMM(2M x 64 動態 RAM模塊) |
| KMM366F410CK1 | 4M x 64 DRAM DIMM(4M x 64 動態 RAM模塊) |
| KMM366F400CK1 | 4M x 64 DRAM DIMM(4M x 64 動態 RAM模塊) |
| KMM366S104CTL | 1Mx64 SDRAM DIMM(1Mx64 動態 RAM模塊) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KMM350VN561M30X50T2 | 功能描述:鋁質電解電容器-管理單元 560UF 350V RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長度:45 mm 引線間隔:10 mm 產品:General Purpose Electrolytic Capacitors |
| KMM350VN681M30X60T2 | 功能描述:鋁質電解電容器-管理單元 680uF 350V 30X60 RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長度:45 mm 引線間隔:10 mm 產品:General Purpose Electrolytic Capacitors |
| KMM350VS221M20X50T2 | 功能描述:鋁質電解電容器-管理單元 220UF 350V RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長度:45 mm 引線間隔:10 mm 產品:General Purpose Electrolytic Capacitors |
| KMM36 | 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES |
| KMM366S1623AT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD |
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