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參數(shù)資料
| 型號： | KMM366S204CTL |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2Mx64 SDRAM DIMM(2Mx64 動態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 2Mx64 SDRAM的內(nèi)存（2Mx64動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 1/13頁 |
| 文件大小： | 143K |
| 代理商： | KMM366S204CTL |
KMM366S204CTL
PC66 SDRAM MODULE
REV. 3 Mar. '98
Revision History
Revision .3 (Mar. 1998)
Some Parameter values & Characteristics of comp. level are changed as below :
- Input leakage currents (Inputs) :
±
5uA to
±
1uA.
- Input leakage currents (I/O) :
±
5uA to
±
1.5uA.
- Cin to be measured at V
DD
= 3.3V, T
A
= 23
°
C
,
f = 1MHz, V
REF
= 1.4V
±
200mV.
- AC Operating Condition is changed as defined :
V
IH
(max) = 5.6V AC. The overshoot voltage duration is
≤
3ns.
V
IL
(min) = -2.0V AC. The undershoot voltage duration is
≤
3ns.
2K/32ms is changed to 4K/64ms.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM366S204CT | 2Mx64 SDRAM DIMM(2Mx64 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM366S3323T | 32Mx64 SDRAM DIMM(32Mx64 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM366S403CTL | PC66 SDRAM MODULE |
| KMM366S403CTL-G0 | PC66 SDRAM MODULE |
| KMM366S403CT | 4Mx64 SDRAM DIMM(4Mx64 動態(tài) RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM366S403CTL | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:PC66 SDRAM MODULE |
| KMM366S403CTL-G0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:PC66 SDRAM MODULE |
| KMM37 | 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES |
| KMM372C1600BK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 72 DRAM DIMM with ECC Using 16Mx4, 4K 8K Refresh 5V |
| KMM372C1600BS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 72 DRAM DIMM with ECC Using 16Mx4, 4K 8K Refresh 5V |
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