型號: | KMM5362203C2W |
廠商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
英文描述: | 2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh, 5V |
中文描述: | 200萬× 36的DRAM使用1Mx16上海藥物研究所和中國科學院1Mx4四,每1000刷新,5V的 |
文件頁數: | 1/17頁 |
文件大小: | 284K |
代理商: | KMM5362203C2W |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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KMM5362203C2WG | 2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh, 5V |
KMM5362205C2W | 2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
KMM5362205C2WG | 2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
KMM5364005BSW | 4M x 36 DRAM SIMM(4M x 36 動態 RAM模塊) |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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KMM5362203C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh, 5V |
KMM5362205C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
KMM5362205C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
KMM53632000BK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
KMM53632000BKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |