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參數資料
型號: KMM5362203C2W
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh, 5V
中文描述: 200萬× 36的DRAM使用1Mx16上海藥物研究所和中國科學院1Mx4四,每1000刷新,5V的
文件頁數: 1/17頁
文件大小: 284K
代理商: KMM5362203C2W
DRAM MODULE
KMM5362203C2W/C2WG
Rev. 0.0 (Nov. 1997)
- 1 -
2Mx36 DRAM SIMM
(1MX16 Base)
Revision 0.0
November 1997
相關PDF資料
PDF描述
KMM5362203C2WG 2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh, 5V
KMM5362205C2W 2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
KMM5362205C2WG 2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
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KMM5364103CKG 4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K Refresh, 5V
相關代理商/技術參數
參數描述
KMM5362203C2WG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh, 5V
KMM5362205C2W 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
KMM5362205C2WG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
KMM53632000BK 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
KMM53632000BKG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
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